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| 对比 | 型号 | 厂商 | 描述 | 生命周期 | 风险等级 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3019 | 小信号双极晶体管 | Microchip Technology Inc | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5 | Active | 高 设计 产品 长期 |
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| MRF6S20010GNR1 | NXP Semiconductor | MOSFET/FET,MRF6S20010GN - 2 x W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET | |
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| 2N3019 | 小信号双极晶体管 | STMicroelectronics | 1000mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39, METAL, TO-39, 3 PIN | Obsolete | 高 设计 产品 长期 |
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| 2N3019 | MULTICOMP PRO | - | - | N/A 暂无风险等级信息 |
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| 2N3019 | New Jersey Semiconductor Products, Inc. | - | - | N/A 暂无风险等级信息 |
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| 2N3019 | 小信号双极晶体管 | Motorola Semiconductor Products | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, | Obsolete | 高 设计 产品 长期 |
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| 2N3019 | 小信号双极晶体管 | National Semiconductor Corporation | TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39, BIP General Purpose Small Signal | Obsolete | 高 设计 产品 长期 |
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| 2N3019 | Telefunken Semiconductor GmbH & Co Kg | - | - | N/A 暂无风险等级信息 |
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| 2N3019 | 小信号双极晶体管 | Continental Device India Ltd | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, | Active | 中 设计 产品 长期 |
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| 2N3019 | 小信号双极晶体管 | NTE Electronics Inc | T-NPN SI- AF PREAMP DR RoHS Compliant: Yes | Active | 高 设计 产品 长期 |
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| 2N3019 | Microsemi FPGA & SoC | - | - | N/A 暂无风险等级信息 |
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