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2N3019

Freescale Semiconductor

Freescale Semiconductor
Microchip Technology Inc
STMicroelectronics
MULTICOMP PRO
New Jersey Semiconductor Products, Inc.
Motorola Semiconductor Products
National Semiconductor Corporation
Telefunken Semiconductor GmbH & Co Kg
Continental Device India Ltd
NTE Electronics Inc
Microsemi FPGA & SoC
Philco/Philips
Fairchild Semiconductor Corporation
Central Semiconductor Corp

TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,1A I(C),TO-5

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.52

风险等级:

高

设计

产品

长期

参数规格设计资源价格 & 库存同型号不同厂商

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	2N3019
是否Rohs认证	不符合
生命周期	Obsolete
Objectid	105347610
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
风险等级	9.52
最大集电极电流 (IC)	1 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	100
最高工作温度	200 °C
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.8 W
子类别	Other Transistors
表面贴装	NO
标称过渡频率 (fT)	100 MHz

参数规格与技术文档

全部

全部
数据手册
技术文档

Freescale Semiconductor

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