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晶体管 > 单结晶体管

2N2646

Comset Semiconductor
  • Comset Semiconductor
  • TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
  • MULTICOMP PRO
  • New Jersey Semiconductor Products, Inc.
  • Motorola Semiconductor Products
  • General Electric Company
  • Simtek Corporation
  • STMicroelectronics
  • Signetics
  • Solid State Devices Inc (SSDI)
  • Harris Semiconductor
Unijunction Transistor, 5uA I(P)
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.52
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 101781347
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.52
外壳连接 BASE2
配置 SINGLE
最大发射极电流 50 mA
最大基极间电压 35 V
最大本征偏离比 0.75
最小本征偏离比 0.56
JEDEC-95代码 TO-18
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -65 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
最大峰点电流 5 mA
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W
最大基极间静态电阻 9.1 kΩ
最小基极间静态电阻 4.7 kΩ
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
最小谷点电流 4 mA
参数规格与技术文档
全部
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  • 数据手册
  • 技术文档
Comset Semiconductor
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