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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8364732275 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.21.00.75 |
| 风险等级 | 0.96 |
| Samacsys Description | Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 300 MHz, 400 mW, 800 mA, 35 hFE |
| Samacsys Manufacturer | Multicomp Pro |
| Samacsys Modified On | 2024-01-25 17:12:31 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.8 A |
| 基于收集器的最大容量 | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
| JEDEC-95代码 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 0.8 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 300 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 285 ns |
| 最大开启时间（吨） | 35 ns |
| VCEsat-Max | 1 V |
| tariffCode | 85412900 |
| productTraceability | No |
| rohsCompliant | YES |
| euEccn | NLR |
| hazardous | false |
| rohsPhthalatesCompliant | YES |
| usEccn | EAR99 |
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苏公网安备 32059002001873号