参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | ![]() |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1408066165 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 8.64 |
最大集电极电流 (IC) | 0.8 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 235 |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.8 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | CECC |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
VCEsat-Max | 0.4 V |