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2N1116
晶体管 > 功率双极晶体管

2N1116

Silicon Transistor Corporation
Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), NPN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.74
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 8147363185
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.74
YTEOL 0
最大集电极电流 (IC) 0.8 A
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40
JESD-609代码 e0
元件数量 1
最高工作温度 200 °C
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.6 W
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
参数规格与技术文档
Silicon Transistor Corporation
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