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2C6660
晶体管 > 功率场效应晶体管

2C6660

Silicon Transistor Corporation
Power Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 60V, 4ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1445017975
包装说明 UNCASED CHIP, X-XUUC-N
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.49
YTEOL 0
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.46 A
最大漏源导通电阻 4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 X-XUUC-N
元件数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED
封装形式 UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Silicon Transistor Corporation
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