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1SV322
二极管 > 变容二极管

1SV322

Toshiba America Electronic Components
DIODE 28 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, USC, 1-1E1A, 2 PIN, Variable Capacitance Diode
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
6.66
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 1SV322
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1506406940
包装说明 R-PDSO-G2
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.80
风险等级 6.66
YTEOL 7.12
配置 SINGLE
二极管电容容差 5.36%
最小二极管电容比 4
标称二极管电容 28 pF
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 10 V
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
变容二极管分类 ABRUPT
参数规格与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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