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1SV259
二极管 > 变容二极管

1SV259

Toshiba America Electronic Components
DIODE 30.3 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 1SV259
生命周期 Obsolete
Objectid 1438083969
包装说明 R-PDSO-G2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.80
风险等级 9.49
YTEOL 0
最小击穿电压 30 V
配置 SINGLE
最小二极管电容比 10
标称二极管电容 30.3 pF
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
变容二极管分类 ABRUPT
参数规格与技术文档
Toshiba America Electronic Components
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