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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | 1SS417,L3M |
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8365060698 |
| 包装说明 | R-PDSO-F2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.70 |
| 风险等级 | 0.82 |
| Samacsys Description | Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial |
| Samacsys Manufacturer | Toshiba |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| YTEOL | 6 |
| 应用 | GENERAL PURPOSE |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.62 V |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 1 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 100 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最大输出电流 | 0.1 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 0.1 W |
| 最大重复峰值反向电压 | 45 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 反向测试电压 | 40 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | SCHOTTKY |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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苏公网安备 32059002001873号