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1N987BUR-1E3
二极管 > 齐纳二极管

1N987BUR-1E3

Microsemi FPGA & SoC
Zener Diode, 120V V(Z), 5%, 0.5W
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.86
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1251866222
包装说明 O-LELF-R2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 7.86
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 ZENER DIODE
最大动态阻抗 900 Ω
最大正向电压 (VF) 1.3 V
JEDEC-95代码 DO-213AA
JESD-30 代码 O-LELF-R2
膝阻抗最大值 4500 Ω
元件数量 1
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -65 °C
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
极性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.5 W
标称参考电压 120 V
最大反向电流 0.5 µA
反向测试电压 91 V
表面贴装 YES
技术 ZENER
端子面层 PURE MATTE TIN
端子形式 WRAP AROUND
端子位置 END
电压温度Coeff-Max 132 mV/°C
最大电压容差 5%
工作测试电流 1 mA
参数规格与技术文档
Microsemi FPGA & SoC
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