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1N8165US
二极管 > 瞬态抑制器

1N8165US

Microchip Technology Inc
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.32
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 4019153015
包装说明 MELF-2
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Philippines
Factory Lead Time 21 weeks
风险等级 7.32
YTEOL 24.48
其他特性 HIGH RELIABILITY
最小击穿电压 37.1 V
外壳连接 ISOLATED
最大钳位电压 53.6 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 O-LELF-R2
最大非重复峰值反向功率耗散 150 W
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
极性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1 W
参考标准 IEC-61000-4-2, 4-4
最大重复峰值反向电压 33 V
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子形式 WRAP AROUND
端子位置 END
参数规格与技术文档
Microchip Technology Inc
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