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Lite-On Semiconductor Corporation
二极管
齐纳二极管
1N5231B
二极管 > 齐纳二极管
1N5231B
Lite-On Semiconductor Corporation
Rochester Electronics LLC
Microchip Technology Inc
SMC Diode Solutions
Taiwan Semiconductor
EIC Corporation
onsemi
EIC Semiconductor Inc
MULTICOMP PRO
Vishay Intertechnologies
ITT Interconnect Solutions
Philips Semiconductors
Taitron Components Inc
Tak Cheong Electronics (Holdings) Co Ltd
Fairchild Semiconductor Corporation
SGS Semiconductor Ltd
National Semiconductor Corporation
Motorola Semiconductor Products
Thomson Components-Mostek Corp
Diodes Incorporated
General Instrument
GSI Technology
Atmel Corporation
Motorola Mobility LLC
RFE International Inc
Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
数据手册:
下载: 1N5231B
ECAD 模型:
请求创建模型
市场均价:
¥0.8680
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
7.22
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
设计资源
价格 & 库存
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参数规格
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MSP1N5231DTR-1
1N5231AD7
MX1N5231B-1TR
详细参数
参数名称
参数值
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
Objectid
1483075714
零件包装代码
DO-35
包装说明
ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数
2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
风险等级
7.22
其他特性
LOW NOISE
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
最大动态阻抗
17 Ω
JEDEC-95代码
DO-35
JESD-30 代码
O-LALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
200 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
认证状态
Not Qualified
标称参考电压
5.1 V
表面贴装
NO
技术
ZENER
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
最大电压容差
5%
工作测试电流
20 mA
参数规格与技术文档
全部
数据手册
技术文档
下载: 1N5231B
Lite-On Semiconductor Corporation
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