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1N4935G-13

Diodes Incorporated

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,

数据手册:

下载: 1N4935G-13

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.38

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 66 个替代料
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd 1 个替代料
PanJit Semiconductor 18 个替代料
Formosa Microsemi Co Ltd 5 个替代料
Won-Top Electronics Co Ltd 3 个替代料
Secos Corporation 2 个替代料
Taiwan Semiconductor 12 个替代料
Fagor Electrónica 2 个替代料
Hitano Enterprise Corp 2 个替代料
Micro Commercial Components 3 个替代料
Vishay Intertechnologies 5 个替代料
ROHM Semiconductor 4 个替代料
Nihon Inter Electronics Corporation 1 个替代料
International Components Corporation 1 个替代料
Rugao Dachang Electronics Co Ltd 2 个替代料
Master Instrument Corp 1 个替代料
Shanghai Lunsure Electronic Technology Co Ltd 2 个替代料
Daco Semiconductor Co Ltd 1 个替代料
HY Electronic Corp 1 个替代料

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