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1N4798D
二极管 > 变容二极管

1N4798D

International Semiconductor Inc
Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 17V, Silicon, DO-7
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.36
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1447504540
包装说明 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.80
风险等级 9.36
YTEOL 0
其他特性 LOW LEAKAGE
最小击穿电压 17 V
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管电容容差 1%
最小二极管电容比 2.3
标称二极管电容 68 pF
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码 DO-7
JESD-30 代码 O-LALF-W2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
最大功率耗散 0.4 W
认证状态 Not Qualified
最小质量因数 15
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
端子位置 AXIAL
变容二极管分类 ABRUPT
参数规格与技术文档
International Semiconductor Inc
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