参数名称 | 参数值 |
---|---|
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1052508415 |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 7.59 |
YTEOL | 5.8 |
雪崩能效等级(Eas) | 85 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (ID) | 1.4 A |
最大漏源导通电阻 | 5.8 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 5.6 A |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |