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12CGQ150PBF

Infineon Technologies AG

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.16

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	12CGQ150PBF
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	8318084857
包装说明	HERMETIC SEALED PACKAGE-3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.10.00.80
风险等级	7.16
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2020-11-30 19:47:12
YTEOL	5.82
其他特性	HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.6 V
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流	180 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	35 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	150 V
最大反向电流	5000 µA
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED