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10-FZ071SA050SM02-L524L18
晶体管 > IGBT

10-FZ071SA050SM02-L524L18

Vincotech
Insulated Gate Bipolar Transistor, 43A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-16
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.35
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 145156161426
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.35
外壳连接 ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 43 A
集电极-发射极最大电压 650 V
配置 COMPLEX
门极发射器阈值电压最大值 4.7 V
门极-发射极最大电压 20 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X16
元件数量 2
端子数量 16
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 84 W
参考标准 UL RECOGNIZED
表面贴装 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 126 ns
标称接通时间 (ton) 47 ns
VCEsat-Max 2.22 V
参数规格与技术文档
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