参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | 74HCT7404N |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
Objectid | 1440942639 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP18,.3 |
针数 | 18 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.71 |
风险等级 | 9.81 |
YTEOL | 0 |
最长访问时间 | 108 ns |
其他特性 | REGISTER BASED; BUBBLE BACK 2.7US |
最大时钟频率 (fCLK) | 12 MHz |
周期时间 | 83.33 ns |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 |
内存密度 | 320 bit |
内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
内存宽度 | 5 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 18 |
字数 | 64 words |
字数代码 | 64 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64X5 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP18,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
最大压摆率 | 0.001 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |