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2SC3149L
晶体管 > 功率双极晶体管

2SC3149L

Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Power Bipolar Transistor,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.35
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8328332865
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.35
YTEOL 4
最大集电极电流 (IC) 1.5 A
集电极-发射极最大电压 800 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15
JEDEC-95代码 TO-251
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 NPN
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 15 MHz
参数规格与技术文档
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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