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1N8157
二极管 > 瞬态抑制器

1N8157

Trans Voltage Suppressor Diode
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.49
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Transferred
Objectid 8143450067
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 8.49
其他特性 HIGH RELIABILITY
最小击穿电压 17.1 V
外壳连接 ISOLATED
最大钳位电压 25.1 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散 150 W
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
极性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 1 W
参考标准 IEC-61000-4-2,4-4,4-5
最大重复峰值反向电压 15 V
最大反向电流 1 µA
表面贴装 NO
技术 AVALANCHE
端子形式 WIRE
端子位置 AXIAL
参数规格与技术文档
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