对比 | 型号 | 厂商 | 描述 | 价格 | ECAD | 数据手册 | 替代料 | |
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1E7(G) | Luguang Electronic Technology Co Ltd | Fast Recovery Diode, Case Style : R-1; IAV (A) : 1; VRRM (V) : 600; IFSM (A) : 30; VF (V): 2.2; @IAV (A): 1; IR (µA) TA=25ºC: 5; TRR (nS) : 35 | - | |||||
AD | RJK03C0DPA-00#J53 | Renesas | MOSFET/FET,N-Channel Power MOSFET Power Switching |