Sat May 18 2024 11:06:08 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件

AF2301PW

” 的搜索结果(共 4 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 AF2301PW Integrated Circuit Technology Corp
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN
获取价格 - ECAD2
请求模型
request
数据手册
替代料
对比 AF2301PWLA Integrated Circuit Technology Corp
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN
获取价格 - ECAD2
请求模型
request
数据手册
替代料
AD CLF1G0060-30 Ampleon
射频/微波组件,CLF1G0060-30 - 30W Broadband RF power GaN HEMT
对比 AF2301PWL Integrated Circuit Technology Corp
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOT-23, 3 PIN
获取价格 - ECAD2
请求模型
request
数据手册
替代料
对比 AF2301PWA Integrated Circuit Technology Corp
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN
获取价格 - ECAD2
请求模型
request
数据手册
替代料
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消