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| 对比 | 型号 | 厂商 | 描述 | 价格 | ECAD | 数据手册 | 替代料 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GS66508P-MR | GaN Systems | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.063ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | - | |||||
| AD | A2T26H160-24SR3 | NXP Semiconductor | 射频/微波组件,A2T26H160 - Airfast RF Power LDMOS Transistor | |||||
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