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CWM-4-D-5-3-A-L-5

” 的搜索结果(共 200 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 NSi3190 纳芯微(NovoSense)
1 , 4~20, 4~20 , -0.5~3.6 , 3 , 400 , ±5
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对比 BZT52C6V2S WPMSEMI 维攀电子
-, WA, 6.2, 5.8, 6.6, 5, 10, 150, 1, 3, 4, 0.4, 3.7, 5, SOD-323
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对比 BZT52C4V3S WPMSEMI 维攀电子
-, W6, 4.3, 4, 4.6, 5, 90, 600, 1, 3, 1, -3.5, 0, 5, SOD-323
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对比 SIT1027QTK SIT 芯力特
5-27, 0.02, Standby.Sleep, 4(Sleep), N, DFN3*3-8(HVSON8)
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对比 EWWR0003J4R00T9 RESI 睿思
Axial Lead Wirewound Resistor. Small Size, High Power & High Stability,, EWWR0003J4R00T9, EWWR, Bulk, 4, ±5, 3, ±250, -55℃至+155℃, L=15mm ⌀=5.5mm, 2
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对比 SB3150 LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:SB3150, VR (V):150, IF (A):3, VF Max(V):0.87, VF IF (A):5
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对比 SB3200 LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:SB3200, VR (V):200, IF (A):3, VF Max(V):0.84, VF IF (A):5
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对比 SM590A LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:S59, VR (V):90, IF (A):5, VF Max(V):0.85, VF IF (A):3
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对比 SM520A LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:S52, VR (V):20, IF (A):5, VF Max(V):0.5, VF IF (A):3
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对比 SM530A LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:S53, VR (V):30, IF (A):5, VF Max(V):0.5, VF IF (A):3
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对比 SM5100A LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:S510, VR (V):100, IF (A):5, VF Max(V):0.85, VF IF (A):3
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对比 SM540A LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:S54, VR (V):40, IF (A):5, VF Max(V):0.5, VF IF (A):3
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对比 SM550A LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:S55, VR (V):50, IF (A):5, VF Max(V):0.7, VF IF (A):3
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对比 SM560A LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:S56, VR (V):60, IF (A):5, VF Max(V):0.7, VF IF (A):3
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对比 SM580A LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:S58, VR (V):80, IF (A):5, VF Max(V):0.85, VF IF (A):3
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对比 MB420L PanJit Semiconductor
Product Status:Active, Type(V):Standard, VRRM Max.(A):200, IF(A):4, IFSM(V):100, VF Max.(A):0.86, @IF(µA):4, IR Max.(V):5, @VR:200
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对比 PJSRV05W-4DW PanJit Semiconductor
Product Status:NSND, Configuration:UNI, Number of protected lines(V):4, VRWM Max.(V):5, VBR Min.(µA):6, IR @ VRWM Max.(V):3, VC @ IPP Max.(A):10, IPP(pF):5, CJ Max.:1.2
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对比 KBP4MI PanJit Semiconductor
Product Status:Active, IF(V):4, VRRM Max.(A):1000, IFSM(V):130, VF Max.(A):1.1, @IF(µA):4, IR Max.(V):5, @VRRM:1000, Package:KBP
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对比 PJSRV05W-4W6 PanJit Semiconductor
Product Status:NSND, Configuration:UNI, Number of protected lines(V):4, VRWM Max.(V):5, VBR Min.(µA):6, IR @ VRWM Max.(V):3, VC @ IPP Max.(A):10, IPP(pF):5, CJ Max.:1.2
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对比 PJSRV05W-4SW6 PanJit Semiconductor
Product Status:NSND, Configuration:UNI, Number of protected lines(V):4, VRWM Max.(V):5, VBR Min.(µA):6, IR @ VRWM Max.(V):3, VC @ IPP Max.(A):10, IPP(pF):5, CJ Max.:1.2
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