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500-100-50-30

” 的搜索结果(共 136 个)
对比 型号 厂商 描述 价格 ECAD 数据手册 替代料
对比 LDTD143TLT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:E2, IC (mA):500, VCEO (V):40, hFE @ IC Min:100, hFE @ IC (mA):50
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对比 LDTB123TLT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:K1, IC (mA):500, VCEO (V):40, hFE @ IC Min:100, hFE @ IC (mA):50
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AD MBR140SFT1G Arrow
Diode Schottky Si 40V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
对比 LDTB114TLT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:K3, IC (mA):500, VCEO (V):40, hFE @ IC Min:100, hFE @ IC (mA):50
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对比 LDTD114ELT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:CA, IC (mA):500, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:100, hFE @ IC Max:600
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对比 LDTB114GLT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:K7, IC (mA):500, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:56, hFE @ IC (mA):100
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对比 LDTB114ELT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:F14, IC (mA):500, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:100, hFE @ IC Max:600
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对比 LDTC143XWT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:M1, IC (mA):100, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:30, hFE @ IC (mA):10
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对比 LDTC114GET1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:H8, IC (mA):100, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:30, hFE @ IC (mA):5
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对比 LDTA114GET1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:Q1, IC (mA):100, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:30, hFE @ IC (mA):5
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对比 LMUN5330DW1T1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:30, IC (mA):100 , VCEO (V):50 , hFE @ IC Min:3, hFE @ IC Max:- 
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对比 LDTA143XWT1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:Q3, IC (mA):100, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:30, hFE @ IC (mA):10
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对比 LDTC143XET1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:M1, IC (mA):100, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:30, hFE @ IC (mA):10
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对比 LDTA143XET1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:33, IC (mA):100, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:30, hFE @ IC (mA):10
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对比 LDTC114EET1G LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:8A, IC (mA):100, VCEO (V):50, hFE @ IC Min:30, hFE @ IC (mA):5
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对比 SB230S PanJit Semiconductor
Product Status:Active, Type(V):Standard, VRRM Max.(A):30, IF(A):2, IFSM(V):50, VF Max.(A):0.5, @IF(µA):2, IR Max.(V):500, @VR:30
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ECAD
footprint 3dModel
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对比 LBSS4350SZ4TZHG LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:A5, IC (mA):3000, VCEO (V):50, hFE Min / Max:200/500, hFE IC/VCE (mA)/(Volts):100/2
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对比 TPAN0220J500RK9 RESI 睿思
50W TO-220 Non-Inductive High-Power Resistor. High Power with Excellent Reliability & Stability, TPAN0220J500RK9, TPAN0220, Bulk, 500, ±5, 50, ±100, -55℃至+150℃, TO-220, 2, 500
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对比 TPAN0220F500RK9 RESI 睿思
50W TO-220 Non-Inductive High-Power Resistor. High Power with Excellent Reliability & Stability, TPAN0220F500RK9, TPAN0220, Bulk, 500, ±1, 50, ±100, -55℃至+150℃, TO-220, 2, 500
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对比 TPAN0220D500RK9 RESI 睿思
50W TO-220 Non-Inductive High-Power Resistor. High Power with Excellent Reliability & Stability, TPAN0220D500RK9, TPAN0220, Bulk, 500, ±0.5, 50, ±100, -55℃至+150℃, TO-220, 2, 500
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对比 TPAN0220D50R0K9 RESI 睿思
50W TO-220 Non-Inductive High-Power Resistor. High Power with Excellent Reliability & Stability, TPAN0220D50R0K9, TPAN0220, Bulk, 50, ±0.5, 50, ±100, -55℃至+150℃, TO-220, 2, 500
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