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1.5KE170

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对比 1.5KE170 广东奥科
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对比 1.5KE170 Luguang Electronic Technology
瞬态抑制二极管, 1500W, 153.00V, 187.00V, 138.0V, 1uA, 6.15A, 244.0V
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对比 1.5KE170 Galaxy Microelectronics
138V,1500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 1500W, 138V, 153V, 167V, 5uA
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对比 1.5KE170CAHE3AMP Fagor Electrónica
Trans Voltage Suppressor Diode, 145V V(RWM), Bidirectional,
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对比 1.5KE170TR Fagor Electrónica
Trans Voltage Suppressor Diode, 138V V(RWM), Unidirectional,
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对比 1.5KE170AHE3AMP Fagor Electrónica
Trans Voltage Suppressor Diode, 145V V(RWM), Unidirectional,
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对比 1.5KE170CHE3TR Fagor Electrónica
Trans Voltage Suppressor Diode, 138V V(RWM), Bidirectional,
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对比 1.5KE170HE3TR Fagor Electrónica
Trans Voltage Suppressor Diode, 138V V(RWM), Unidirectional,
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对比 1.5KE170CA Luguang Electronic Technology
瞬态抑制二极管, 1500W, 161.50V, 178.50V, 145.0V, 1uA, 6.41A, 234.0V
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对比 1.5KE170A Galaxy Microelectronics
145V,1500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 1500W, 145V, 162V, 179V, 5uA
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对比 1.5KE170C Galaxy Microelectronics
138V,1500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 1500W, 138V, 153V, 167V, 5uA
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对比 1.5KE170AS PanJit Semiconductor
Product Status:Active, Configuration(W):UNI, PD(V):1500, VRWM(V):145, VBR @ IT Min.(V):162, VBR @ IT Max.(mA):179, IT(µA):1, IR @ VRWM UNI(µA):1, VC @ IPP Max.(A):234
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对比 1.5KE170CAS PanJit Semiconductor
Product Status:Active, Configuration(W):BI, PD(V):1500, VRWM(V):145, VBR @ IT Min.(V):162, VBR @ IT Max.(mA):179, IT(µA):1, IR @ VRWM UNI(µA):1, IR @ VRWM BI(V):1
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对比 1.5KE170A YFW佑风微
DO-27, YFW佑风微, 晶体管, 瞬态抑制二极管
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对比 1.5KE170CA Galaxy Microelectronics
145V,1500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 1500W, 145V, 162V, 179V, 5uA
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对比 1.5KE170A 广东奥科
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对比 1.5KE170A Luguang Electronic Technology
瞬态抑制二极管, 1500W, 161.50V, 178.50V, 145.0V, 1uA, 6.41A, 234.0V
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对比 1.5KE170C Luguang Electronic Technology
瞬态抑制二极管, 1500W, 153.00V, 187.00V, 138.0V, 1uA, 6.15A, 244.0V
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对比 1.5KE170C 广东奥科
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对比 1.5KE170CA YFW佑风微
DO-27, YFW佑风微, 晶体管, 瞬态抑制二极管
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