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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8157829358 |
| 包装说明 | DIP-18 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 7.54 |
| YTEOL | 3.5 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | COMPLEX |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 900 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T18 |
| 元件数量 | 8 |
| 端子数量 | 18 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| VCEsat-Max | 1.9 V |
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