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TP2330F
晶体管 > 射频双极晶体管

TP2330F

Motorola Semiconductor Products
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.59
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1418806383
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.75
风险等级 8.59
YTEOL 0
其他特性 DIFFUSED BALLAST RESISTORS
最大集电极电流 (IC) 8 A
基于收集器的最大容量 100 pF
集电极-发射极最大电压 16 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-CRFM-F4
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 80 W
最大功率耗散 (Abs) 80 W
最小功率增益 (Gp) 9 dB
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 FLAT
端子位置 RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
Motorola Semiconductor Products
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