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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1438750341 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 9.47 |
| YTEOL | 0 |
| 外壳连接 | SOURCE |
| 配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压 | 125 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 40 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-CDFM-F4 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 500 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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苏公网安备 32059002001873号