参数名称 | 参数值 |
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生命周期 | Active |
Objectid | 7260650998 |
零件包装代码 | DO-15 |
Reach Compliance Code | unknown |
Country Of Origin | Mainland China |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
风险等级 | 7.43 |
YTEOL | 6.06 |
其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN |
最大击穿电压 | 14.7 V |
最小击穿电压 | 13.3 V |
击穿电压标称值 | 14 V |
外壳连接 | ISOLATED |
最大钳位电压 | 19.9 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
最大正向电压 (VF) | 3.5 V |
JEDEC-95代码 | DO-15 |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 500 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 1 W |
参考标准 | MIL-STD-750 |
最大重复峰值反向电压 | 12 V |
最大反向电流 | 1 µA |
反向测试电压 | 12 V |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
类别 | Diodes |
Condition | 10×1000us |
PPK (W) | 500 |
VRWM (V) max. | 12 |
VBR (V) min. | 13.3 |
VBR (V) max. | 14.7 |
IR (uA) max. | 1 |
VC (V) max. | 19.9 |
Condition1_IPP (A) | 25.1 |
AEC Qualified | NO |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
是否无铅 | 否 |
符合Reach | YES |
符合RoHS | YES |
Package Outlines | DO-15 |