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S-LESD9B5.0ST5G
二极管 > 瞬态抑制器

S-LESD9B5.0ST5G

LRC Leshan Radio Co Ltd
Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.53
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1350648423
包装说明 R-PDSO-F2
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 8.53
YTEOL 2
其他特性 EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE
最大击穿电压 7.8 V
最小击穿电压 5.8 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-F2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性 BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.3 W
参考标准 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 5 V
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
LRC Leshan Radio Co Ltd
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