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MPLAD15KP120AE3TR
二极管 > 瞬态抑制器

MPLAD15KP120AE3TR

Microsemi FPGA & SoC
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.34
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1080432505
包装说明 R-PSSO-G1
针数 1
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 8.34
其他特性 HIGH RELIABILITY
最大击穿电压 147 V
最小击穿电压 133 V
击穿电压标称值 140 V
外壳连接 CATHODE
最大钳位电压 193 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PSSO-G1
最大非重复峰值反向功率耗散 15000 W
元件数量 1
端子数量 1
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性 UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 2.5 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL-19500
最大重复峰值反向电压 120 V
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
参数规格与技术文档
Microsemi FPGA & SoC
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