参数名称 | 参数值 |
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是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Transferred |
Objectid | 145137455532 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
Date Of Intro | 2020-03-26 |
风险等级 | 8.51 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
最大击穿电压 | 10.4 V |
最小击穿电压 | 9.44 V |
击穿电压标称值 | 9.92 V |
最大钳位电压 | 14.4 V |
配置 | SEPARATE, 8 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-L16 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 3000 W |
元件数量 | 8 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
参考标准 | IEC-61000-4-2,4-4,4-5; MIL-19500 |
最大重复峰值反向电压 | 8.5 V |
最大反向电流 | 25 µA |
反向测试电压 | 8.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | L BEND |
端子位置 | DUAL |