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LBTP180R3T1G

LRC Leshan Radio Co Ltd

Device Marking:P3, IC (mA):1000, VCEO (V):80, hFE Min / Max:63/250, hFE IC/VCE (mA)/(Volts):150/2

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

风险等级:

暂无风险等级信息

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Device Marking	P3
IC (mA)	1000
VCEO (V)	80
hFE Min / Max	63/250
hFE IC/VCE (mA)/(Volts)	150/2
VCE(sat) Max (Volts)	0.5
VCE(sat) IC/IB (mA)	500/50
fT TYP (MHz)	-
Style	NPN
Package	DFN3030
二级类别	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
三级类别	Power Transistors

参数规格与技术文档

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