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LBTP180D3T1G
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LBTP180D3T1G

LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:P3, IC (mA):1000, VCEO (V):85, hFE Min / Max:40/-, hFE IC/VCE (mA)/(Volts):500/2
数据手册:
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ECAD 模型:
市场均价:
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市场总库存:
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生命周期状态:
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风险等级:
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风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Device Marking P3
IC (mA) 1000
VCEO (V) 85
hFE Min / Max 40/-
hFE IC/VCE (mA)/(Volts) 500/2
VCE(sat) Max (Volts) 0.5
VCE(sat) IC/IB (mA) 500/50
fT TYP (MHz) 100
Style PNP
Package DFN2020
二级类别 GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
三级类别 Power Transistors
参数规格与技术文档
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