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LBAS70BST5G
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LBAS70BST5G

LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:R, VR (V):70, IF (A):0.07, VF Max(V):0.41, VF IF (A):0.001
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.46
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8054165842
包装说明 R-PBCC-N2
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.70
风险等级 7.46
YTEOL 5
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PBCC-N2
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -65 °C
最大输出电流 0.07 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) 260
最大重复峰值反向电压 70 V
表面贴装 YES
技术 SCHOTTKY
端子形式 NO LEAD
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 10
Device Marking R
VR (V) 70
IF (A) 0.07
VF Max(V) 0.41
VF IF (A) 0.001
IR Max(µA) 0.1
IR VR(V) 50
Package SOD-882
二级类别 SCHOTTKY DIODES
三级类别 2 Pin Schottky Diodes
参数规格与技术文档
LRC Leshan Radio Co Ltd
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