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LBAS16TW1T1G
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LBAS16TW1T1G

LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:KA2, VR (V):75, IF (mA):300, VF Max(V):1.25, VF IF(mA):150
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.52
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1308421499
包装说明 R-PDSO-G6
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.70
风险等级 7.52
YTEOL 6.1
配置 SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.715 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 3
端子数量 6
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -65 °C
最大输出电流 0.15 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
最大功率耗散 0.2 W
最大重复峰值反向电压 75 V
最大反向电流 50 µA
最大反向恢复时间 0.004 µs
反向测试电压 75 V
表面贴装 YES
端子面层 TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
Device Marking KA2
VR (V) 75
IF (mA) 300
VF Max(V) 1.25
VF IF(mA) 150
IR Max(µA) 1
IR VR(V) 75
trr(ns) 4
Style A
Package SC-88
Qualified to AECQ101 Yes
二级类别 SWITCHING DIODES
三级类别 6 Pin Surface Mount Switching Diodes
参数规格与技术文档
LRC Leshan Radio Co Ltd
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