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LBAS16BST5G
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LBAS16BST5G

LRC Leshan Radio Co Ltd
Device Marking:6, VR (V):75, IF (mA):200, VF Max(V):0.715, VF IF(mA):1
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.35
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8054165837
包装说明 R-PBCC-N2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.35
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PBCC-N2
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) 260
最大功率耗散 0.2 W
最大重复峰值反向电压 75 V
最大反向恢复时间 0.004 µs
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 10
Device Marking 6
VR (V) 75
IF (mA) 200
VF Max(V) 0.715
VF IF(mA) 1
IR Max(µA) 1
IR VR(V) 75
trr(ns) 4
Package SOD-882
Qualified to AECQ101 Yes
二级类别 SWITCHING DIODES
三级类别 2 Pin Surface Mount Switching Diodes
参数规格与技术文档
LRC Leshan Radio Co Ltd
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