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KTC5027F
二极管 > BJT

KTC5027F

Galaxy Microelectronics
800V,3A,Medium Power NPN Bipolar Transistor, Diodes, NPN, 800V, 3A, 15, 40, 5V
数据手册:
-
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
-
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
类别 Diodes
极性 NPN
V(BR)CEO (V) min. 800
IC (A) 3
hFE min 15
hFE max 40
Condition1_VCE (V) 5
Condition1_IC (mA) 200
VCE (sat) (V) 2
Condition2_IC (mA) 1500
Condition2_IB (mA) 300
fT (MHz) min. 15(typ)
PD (W) max. 40
AEC Qualified No
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
MSL等级 /
生命周期 Active
是否无铅 Yes
符合Reach Yes
符合RoHS Yes
ECCN代码 EAR99
Package Outlines ITO-220AB
参数规格与技术文档
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