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KTB631K-GR
晶体管 > 功率双极晶体管

KTB631K-GR

KEC
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.52
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 1032386417
零件包装代码 SIP
包装说明 TO-126, 3 PIN
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.52
YTEOL 4
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 120 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 160
JEDEC-95代码 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 8 W
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 110 MHz
参数规格与技术文档
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