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JAN2N1016C
晶体管 > 功率双极晶体管

JAN2N1016C

Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, TO-82, 2 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
8.7
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1902855303
零件包装代码 TO-82
包装说明 TO-82, 2 PIN
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.7
YTEOL 0
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 7.5 A
集电极-发射极最大电压 150 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10
JESD-30 代码 O-MBPM-D2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 150 W
认证状态 Not Qualified
参考标准 MIL
表面贴装 NO
端子形式 SOLDER LUG
端子位置 BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 0.02 MHz
参数规格与技术文档
Silicon Transistor Corporation
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