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ISL9V3040S3
晶体管 > IGBT

ISL9V3040S3

onsemi
Insulated Gate Bipolar Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid ISL9V3040S3
生命周期 Active
Objectid 8308658322
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.37
YTEOL 5
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 21 A
集电极-发射极最大电压 390 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间(tf) 15000 ns
门极发射器阈值电压最大值 2.2 V
门极-发射极最大电压 10 V
JEDEC-95代码 TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W
最大上升时间(tr) 7000 ns
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 30000 ns
标称断开时间 (toff) 7600 ns
最大开启时间(吨) 11000 ns
标称接通时间 (ton) 2800 ns
VCEsat-Max 1.6 V
参数规格与技术文档
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