参数名称 | 参数值 |
---|---|
生命周期 | Active |
Objectid | 1827735266 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 7.37 |
YTEOL | 5.25 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 21 A |
集电极-发射极最大电压 | 400 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最大降落时间(tf) | 15000 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 2.2 V |
门极-发射极最大电压 | 10 V |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 41.6 W |
最大上升时间(tr) | 7000 ns |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 30000 ns |
标称断开时间 (toff) | 3600 ns |
最大开启时间(吨) | 11000 ns |
标称接通时间 (ton) | 2580 ns |
VCEsat-Max | 1.6 V |