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FLM8596-4F
晶体管 > 射频场效应晶体管

FLM8596-4F

FUJITSU Semiconductor Limited
KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IA, 4 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1946566098
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 4
制造商包装代码 CASE IA
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.29.00.95
YTEOL 0
其他特性 HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 15 V
最大漏极电流 (ID) 1.3 A
FET 技术 JUNCTION
最高频带 KU BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 DEPLETION MODE
最高工作温度 175 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 25 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
参数规格与技术文档
FUJITSU Semiconductor Limited
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