Sun Jun 02 2024 04:10:24 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
C-IXGD12N100
晶体管 > IGBT

C-IXGD12N100

IXYS Corporation
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.3
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Obsolete
Objectid 1436912024
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 9.3
YTEOL 0
其他特性 LOW SATURATION VOLTAGE
外壳连接 COLLECTOR
集电极-发射极最大电压 1000 V
配置 SINGLE
JESD-30 代码 R-XUUC-N2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 UPPER
晶体管元件材料 SILICON
参数规格与技术文档
IXYS Corporation
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消