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BU111
晶体管 > BJT

BU111

Inchange Semiconductor Company Ltd
Bipolar Transistors;NPN;6A;300V;TO-3
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.45
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 109972923
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.45
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6 A
集电极-发射极最大电压 300 V
配置 SINGLE
JEDEC-95代码 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 200 °C
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 50 W
表面贴装 NO
端子形式 PIN/PEG
端子位置 BOTTOM
晶体管应用 CHOPPER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz
VCEsat-Max 1.5 V
参数规格与技术文档
Inchange Semiconductor Company Ltd
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