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BLF1N60
二极管 > MOSFET

BLF1N60

Galaxy Microelectronics
, Diodes, Single, N, Y, 45W, 600W, ±20V
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.51
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 145154609896
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 7.51
类别 Diodes
配置 Single
Channel Polarity N
ESD Y
Max PD(W) 45
Min PD(W) 600
Max VGS (V) ±20
Max ID(A) 10
Max IGSS(uA) ±10
Max VGS(th) (V) 4
RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Typ 630
RDS(on)(mΩ) @ 25℃ 10V Max 750
AEC Qualified NO
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
MSL等级 /
生命周期 Active
是否无铅 Yes
符合Reach Yes
符合RoHS Yes
ECCN代码 EAR99
Package Outlines ITO-220AB
参数规格与技术文档
Galaxy Microelectronics
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