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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| Objectid | 1287921994 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.75 |
| 风险等级 | 8.41 |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 25 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 200 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 2 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 210 MHz |
| VCEsat-Max | 0.35 V |
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苏公网安备 32059002001873号