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BCP1213O-C
晶体管 > 其他晶体管

BCP1213O-C

Secos Corporation
Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
6.88
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 109972333
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 6.88
YTEOL 7
最大集电极电流 (IC) 2 A
基于收集器的最大容量 40 pF
集电极-发射极最大电压 50 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70
JESD-30 代码 R-PSSO-F3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 1 W
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 120 MHz
最大关闭时间(toff) 1100 ns
最大开启时间(吨) 100 ns
VCEsat-Max 0.5 V
参数规格与技术文档
Secos Corporation
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